電晶體BJT飽和電壓為甚麼是0.2 V

晶體管參數中的 VCE(set) 就是飽和降壓數據。

一般在 0.2-2V 之間，大功率管在大電流時還會升上到 3V。

測試條件是，舉例如

9013 NPN, C,E= 5V, Ic=500mA, Ib=50mA, VCE(set)=0.6V。

是它全導通後的 C, E 降壓值，這個值越小越好。

每一種晶體管的 VCE(set) 不盡相同。是製造後結的特性。

2015-05-30 11:33:36 補充：
隨便找來的另外一些例子：
DG15N120 型絕緣柵雙極型電晶體（IGBT），主要用於電磁爐、開關電源等領域。
其特點如下：NPT技術，高開關速度： tf =150ns ，VCE=1200V，IC=30A，
低飽和壓降 VCE(sat) = 2.3V @ Ic=15A。
內部結構與工作原理直接搜 （IGBT）便有很多了，絕緣柵雙極型電晶體，電晶體部分原理一樣。

不是(B-C端0.7)+(B-E端0.7) = 1.4V 電晶體的特性不是兩個二極體的串聯，

B-C端輸入小電流的順向電壓0.7V，B-C端的內部PN接面空乏層會變窄，空乏層變窄會引起E端大量的電流流到C端，B-C端用小電流控制PN接面空乏層寬窄，能控制E-C端幾十倍或千倍的電流大小

2015-05-30 11:21:01 補充：
補充一下

把電晶體當做一個黑箱，從外部B腳-C腳-E腳 測試來理解電晶體的特性曲線， 各腳電壓及電流變化引起另一腳電壓及電流變化，利用測試這些特性曲線的參數，來設計電晶體的放大器及建立數學模型，比如 電晶體h參數模型，電晶體混合π模型... ......... 設計求輸出入阻抗及功率增益，電壓及電流增益，這個才是你需要研究，不要管電晶體內部PN接面怎麼動作

每一顆BJT特性不同，
Vce介於：0.4V ~ 1.6V
Vbe介於：0.6V ~ 2.6V