IGBT模塊如何控制

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓爲600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件，其輸入極爲MOSFET，輸出極爲PNP電晶體，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間，可正常工作於幾十kHz頻率範圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓爲0V，則MOS 截止，切斷PNP電晶體基極電流的供給，使得電晶體截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

2014-03-24 23:03:00 補充：
不管你在那裡看過，資料就是很正確和詳盡，就是你沒有看清楚。
IGBT與MOSFET一樣也是【電壓控制型器件】，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

2014-03-24 23:14:30 補充：
關於輸出的波形，就是你用來驅動它的波型。你輸入甚麼它就放大甚麼，就是這樣吧。
還有你說：【用在交流電如何控制？】半導體就是要工作在直流狀態，交流電它不能正常工作啊，有讀過基本原理沒有？你看相關的電路，全部都先要將交流電整流後才給半導體電路用。IGBT 不外是 Mosfet 與大功率三極管的合體，明白了沒有！

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