MOSFET 做電子開關

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[匿名]

2011-10-23 11:25 am

我最近要做成品用2N7000的MOS去做電子開關

閘極電壓會在4.5V-0.2V之間變化

我用了大概五顆MOS去做測試

是插在麵包板上所以除了換不同MOSFET做測試之外

其他電路.元件保證沒有動過

可是我每換一顆MOS得出的結果有些會不同

測試電路如下

5V
D|
-------
--G|
-------
S|
LED
|
接地

可是有的MOSFET在0V時LED會全暗有的不會

有的連變化都沒有只有兩顆會全暗(5顆都剛買)

請問為什麼會這麼不穩定

我的成品呈現與LED的亮暗有很大的關係一定要能全暗全亮

還是換別的型號的電晶體或是加其他元件能有效改善請告訴我~~

更新1:

感謝"洪不同" ^^ 還附電路圖我根據你的電路圖修改了可是還是LED會亮是MOS壞掉了嗎? 請問"aa" 你說的偏壓有3V的MOS行號能告訴我嗎? 我需要n型MOSFET

回答 (6)

[匿名]

2011-10-23 6:51 pm

✔ 最佳答案

你把負載接錯地方了，如果要當開關驅動某負載，請把負載放在上面，讓"S"接地，不要讓負載影響你的輸入。請加一顆對地輸入電阻，降低MOSFET 輸入阻抗。

圖片參考：http://imgcld.yimg.com/8/n/AC00916429/o/101110230105013869485820.jpg

2011-10-23 18:13:17 補充：
你有電路圖嗎？秀出來看看，才能找到問題。

2011-10-23 20:46:28 補充：
對了，如上面的圖，你確定你2N7002的閘極在零伏時，LED還是微亮嗎？還是你控制器本身就在漏電，造成2N7002有些微導通而LED 微亮。

2011-10-23 23:06:42 補充：
To Lilian,
我正在猜他是不是封裝GSD接腳沒搞對，如果SD 對掉，Body Diode會造成LED 會點亮度。

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泰三 Kk

2011-10-24 7:50 am

N MOS 不可使用於將負載接於S與負電源
在這種場合要用P MOS零件才對

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[匿名]

2011-10-24 6:53 am

會不會是廠牌腳位的問題,洪大的電路我測是正常的,提昇電阻我用4.7k試了兩顆約2V後會亮,0~2V是暗的,我有兩個牌子的2N7000但不知道是那家的,因為包裝印字不一樣,另一家是0~4.5V都是亮的,我就腳位換一下就變0~2V是亮的,2V後變暗的,再換就燒掉了這個牌子的我只有一顆,要先量腳位,一般小顆的都沒有印廠牌

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用戶8430

2011-10-24 5:30 am

不是每一粒MOSFET都可以代用, 你應該先查查特性和代替編號

圖片參考：http://www.nerdkits.com/media/forum-stuff/2n7000pinout.png

圖片參考：http://www.lols2k.com/Top%20Secret/IMG1469.JPG

請注意
Gate 閘需要連接一顆放電電阻

圖片參考：http://www.covingtoninnovations.com/dslr/SerialCable40D.jpg

圖片參考：http://static.electro-tech-online.com/imgcache/4807-ckt9a.gif

圖片參考：http://www.hoaglun.com/blog_images/2N7000-v2.png

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第一次被榴槤砸到的感覺

2011-10-24 1:30 am

先不討論電路，來探討為何每顆都有不同效果，G為0V，你是浮接嗎？是的話，因DG與GS間有寄生電容，5V會在這兩顆寄生電容產升分壓效果，因每顆MOS的Vth電壓有所差異，微微導通的特性都有所差異，所以就出現您現在的結果，結論就是John子。

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2011-10-23 7:38 pm

MOSFET 的 G 極要接洩放電阻，否則 g 極存在某些電場的時候就會在 DS 之間有不同測試結果。

同時每裸不同形號的 MOSFET 有不同的工作點， G 極偏壓要求也不一樣，有些會超過 3Volt，就是說 G 極有 3Volt以上，DS 才能完全導通，零電壓就全開路，知道了吧！

2011-10-23 18:26:43 補充：
電力場效應晶體管有3個端子：漏極D、源極S和柵極G。當漏極接電源正，源極接電源負時，柵極和源極之間電壓為0，溝道不導電，管子處於截止。如果在柵極和源極之間加一正向電壓UGS，並且使UGS大於或等於管子的開啟電壓UT，則管子開通，在漏、源極間流過電流ID。UGS超過UT越大，導電能力越強，漏極電流越大。

2011-10-23 18:29:21 補充：
柵極開啟電壓UT
UT又稱閥值電壓，是開通Power MOSFET的柵-源電壓，它為轉移特性的特性曲線與橫軸的交點。施加的柵源電壓不能太大，否則將擊穿器件。

詳細請看以下網頁
電力場效應晶體POWER MOSFET：
http://www.vr.ncue.edu.tw/esa/MatlabPowerSystem/ch05/mosfet.htm

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收錄日期: 2021-04-24 22:58:58
原文連結 [永久失效]:
https://hk.answers.yahoo.com/question/index?qid=20111023000010KK01050

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