IＣ內部的電容是如何形成的

A.常用的電容有兩種 type
1.mos gate cap: 利用 gate oxide 當做介質 , 兩個極板分別為 poly ,
depletion area , 通常是使用在不是很重要的地方
因為它的電容值會隨著 mos working region 變化

2.PIP: 很穩定的電容， 也是利用 oxide 當做介質 ，不過要多一層光罩來定義
這個 region ,兩個極板分別為 poly1,poly2 , 電容值是較為固定的 .

當然還有其他的電容， ex: metal to metal , poly to sub. , junction cap ....
那些值都很小，不足以規劃成一個可運用的電容，只是在做高頻 or small signal , 要注意這些電容帶來的影響.

B.IC內的電容都是很小的 , 舉例 , 以 0.5 um process , mos gate cap 大約畫 500um^2 , 電容值約 1 pf , 以 PIP 大約要畫 1000um^2 才會有 1pf .....
要知道 IC 是以 um 為一個測量單位的，電容做太大，很浪費面積.......

C.其實還有其它可以做電容的方式，不過那是靠製成在改變，換句話說就是要多花錢........

台灣是 IC 業非常發達的地方，人材和專家多到不得了，世界上很多晶片都是台灣製造的啊，還有電腦主板，世界產量可以說是冠軍，不要小看我們的祖國啊。你數一數台灣有幾多家晶片廠就清楚。很多名牌都是找他們代工的。

poly 應該是口語簡稱，指的應是 polysilicon, 或 polycide (combination of polysilicon and a silicide)

2011-01-08 01:53:51 補充：
所以電容在 IC 裡太耗面積，通常不會有大電容。如須大電容一般會外加。

此外，現在很多 CPU 不也都在封裝外部加了幾顆電容嗎。

Reinhard大大﹕

謝謝回應，但我不明白啊，到底thin oxide是作為兩極片間的絕緣層或是極片本身是用thin oxide做成呢？相信是絕緣層吧，因為我覺得氧化物應該是絕緣的，銅線表面氧化後也會接觸不良呢。

poly這字已有組合的意味，那麼「poly 的組合」到底是甚麼意思呢？

到底IC內的電容是否全都容值很小呢？

2011-01-08 09:40:52 補充：
有人知道IC內的電容容值最高有大約有幾多嗎？