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發光二極體 (英文:Light-Emitting Diode,簡稱LED)[1]是一種半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等;隨著白光發光二極體的出現,也被用作照明。它是21世紀的新型光源,具有效率高、壽命長、不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。加正向電壓時,發光二極體能發出單色、不連續的光,這是電致發光效應的一種。改變所採用的半導體材料的化學組成成分,可使發光二極體發出在近紫外線、可見光或紅外線的光。
原理
結合藍色、黃綠(草綠)色,以及高亮度的紅色LED等三者的頻譜特性曲線,三原色在FWHM頻譜中的頻寬約24奈米─27奈米。發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣,發光二極體由半導體晶片組成,這些半導體材料會預先透過注入或攙雜等工藝以產生p、n架構。與其它二極體一樣,發光二極體中電流可以輕易地從p極(陽極)流向n極(負極),而相反方向則不能。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向p、n架構。當空穴和電子相遇而產生複合,電子會跌落到較低的能階,同時以光子的模式釋放出能量。
它所發出的光的波長(決定顏色),是由組成p、n架構的半導體物料的禁帶能量決定。由於矽和鍺是間接帶隙材料,在這些材料在常溫下電子與空穴的複合是非輻射躍遷,此類躍遷沒有釋出光子,所以矽和鍺二極體不能發光。但在極低溫的特定溫度下則會發光,必須在特殊角度下才可發現,而該發光的亮度不明顯。發光二極體所用的材料都是直接帶隙型的,這些禁帶能量對應著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能量。
發展初期,採用砷化鎵(GaAs)的發光二極體只能發出紅外線或紅光。隨著材料科學的進步,各種顏色的發光二極體,現今皆可製造。
二極體(英文:Diode),電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置1,只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流(Rectifying)」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極體可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極體並不會表現出如此完美的開與關的方向性,而是較為複雜的非線性電子特徵-這是由特定類型的二極體技術決定的。二極體使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。
二極體的整流作用
半導體二極體的電流-電壓特性曲線。電壓在正的區域稱為順向偏壓。二極體具有陽極(anode)和陰極(Cathode)兩個端子(這些用語是來自於真空管),電流只能往單一方向流動。也就是說,電流可以從陽極流向陰極,不能從陰極流向陽極(單向性)。這種特性就被稱之為整流作用。在真空管內,藉由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極,因而有整流的作用。
半導體二極體中,有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應,也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極體,在P型側就是陽極,N型側則是陰極。
正向偏壓(Forward Bias)
正向偏壓時的PN結二極體二極體的陽極側施加正電壓,陰極側施加負電壓,這樣就稱為正向偏置,所加電壓為順向偏壓。如此N型半導體被注入電子,P型半導體被注入電洞。這樣一來,讓多數載流子過剩,空乏層縮小、消滅,正負載流子在PN接合部附近結合並消滅。整體來看,電子從陰極流向陽極(電流則是由陽極流向陰極)。在這個區域,電流隨著偏壓的增加也急遽地增加。伴隨著電子與電洞的再結合,兩者所帶有的能量轉變為熱(和光)的形式被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓,特定正向電流下二極體兩端的電壓稱為正向壓降。
反向偏壓(Reverse Bias)
反向偏壓時的PN結二極體在陽極側施加相對陰極負的電壓,就是反向偏置,所加電壓為逆向偏壓。這種情況下,因為N型區域被注入電洞,P型區域被注入電子,兩個區域內的主要載流子都變為不足,因此結合部位的空乏層變得更寬,內部的靜電場也更強,擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷,讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱「PN接面」條目。
實際的元件雖然處於反向偏壓狀態,也會有微小的反向電流(漏電流、漂移電流)通過。當反向偏壓持續增加時,還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰,發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的(反向)電壓被稱為擊穿電壓或崩潰電壓。超過擊穿電壓以後反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區(崩潰區)。在擊穿區內,電流在較大的範圍內變化而二極體反向壓降變化較小。
接面電壓
當二極體的P-N接面處於正向偏壓時,必須有相當的電壓被用來貫通空乏區,導致形成一反向的電壓源,此電壓源的電壓值就稱為接面電壓,矽半導體的接面電壓約0.6V~0.7V,鍺半導體的約0.3~0.4V