乜野係 cmos 和 qvga ?

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CMOS
互補式金屬-氧化層-半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS，簡稱互補式金氧半）是一種積體電路製程，可在矽晶圓上製作出PMOS（P-channel MOSFET）和NMOS（N-channel MOSFET）元件，由於PMOS與NMOS在特性上為互補性，因此稱為CMOS。此製程可用來製作微處理器（microprocessor）， 微控制器（microcontroller），靜態隨機存取記憶體（SRAM）與其他數位邏輯電路。
CMOS具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點，因此非常省電且發熱少。早期的唯讀記憶體（ROM）主要就是以这种電路制作，由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM中，以致在很多情况下當人们提到「CMOS」時，实际上指的是電腦的BIOS單元，而「设置CMOS」就是意指在设置BIOS。
所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體（Field-Effect Transistor, FET）的閘極（gate electrode）是由一層金屬覆蓋在一層絕緣體材料（如二氧化矽）所形成。今日的金氧半場效電晶體（MOSFET）元件多已採用多晶矽（polysilicon）作為其閘極的材料，但即便如此，「金氧半」（MOS）仍然被用在現在的元件與製程名稱當中。
在今日，CMOS製程經常也被用來當作數位影像器材的感光元件使用，例如高清數碼攝錄機與數位相機，尤其是片幅規格較大的数码单反相机更常見到CMOS的應用。雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為韌體或計算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是採取CMOS的製程，只是將純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線後轉化為電能，再透過晶片上的數位─類比轉換器（ADC）將獲得的影像訊號轉變為數位訊號輸出。
當微機電（MEMS）的感應元件和CMOS的訊號處理電路整合在單一晶片上時，通常稱作CMOSens。
近代的CMOS閘極多半使用多晶矽製作。和金屬閘極比起來，多晶矽的優點在於對溫度的忍受範圍較大，使得製造過程中，離子佈值（ion implantation）後的退火（anneal）製程能更加成功。此外，更可以讓在定義閘極區域時使用自我校準（self-align）的方式，這能讓閘極的面積縮小，進一步降低雜散電容（stray capacitance）。2004年後，又有一些新的研究開始使用金屬閘極，不過大部分的製程還是以多晶矽閘極為主。關於閘極結構的改良，還有很多研究集中在使用不同的閘極氧化層材料來取代二氧化矽，例如使用高介電係數介電材料（high-K dielectric），目的在於降低閘極漏電流（leakage current）。
CMOS同時可指互補式金氧半元件及製程。在同樣的功能需求下，CMOS製程所製造的積體電路晶片（IC）享有功耗較低的優勢，這也使得今日的積體電路產品大多是以CMOS製造。

QVGA即"Quarter VGA"。顾名思义即VGA的四分之一尺寸，亦即在液晶屏幕（LCD）上输出的分辨率是240×320像素。QVGA支持屏幕旋转，可以开发出相应的程序，以显示旋转90°、180°、270°屏幕位置。由HandEra公司发布。多用于手持／移动设备。