二極體有好多種
圖片參考:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fd/Diode-photo.JPG/200px-Diode-photo.JPG
二極體的種類
PN結二極體 (PN Diode)
利用半導体中PN接合的整流性質,是最基本的半導體二極體。細節請參照PN結的條目。
蕭特基二極體 (Schottky Barrier Diode)
利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭基特效應'的整流作用。由於順向的電壓降較低,導通回復時間也短,適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多,突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。
穩壓二極體 (Reference Diode)(常用誣稱:齊納二極體(Zener Diode))
被施加反方向電壓的場合,超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小,具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用於電壓基準。藉由摻雜物的種類、濃度,決定擊穿電壓(破壞電壓)。其正向特性與一般的二極體相同。
恒流二極體(CRD, Current Regulative Diode)
被施加順方向電壓的場合,無論電壓多少,可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的範圍。雖然被稱為二極體,但是構造、動作原理都與接合型電場效應電晶體相似。
隧道二極體 (tunnel diode)、江崎二極體(Esaki diode)、透納二極體
是利用量子穿隧效應的作用,會出現在一定偏置範圍內順向電壓增加時流通的電流量反而減少的「負電阻」的現象。1957年由日本人江崎玲於奈發明。這是最能耐受核輻射的半導體二極管。
交流二極體(DIAC)、突波保護二極體、雙向觸發二極體
當施加超過規定電壓(break over電壓,VBO)的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用於電路的突波保護上。另,雖被稱為二極體,實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器([[[thyristor]]]/SCR)的複雜分類中。
變容二極體(variable capacitance diode、varactor diode)
施加逆向電壓的場合,二極體PN接合的空乏層厚度會變化,利用靜電容量(接合容量)的變化的可變容量蓄電器。沒有機械零件所以可靠度高,廣泛應用於VCO或可變電壓濾波器,也是電視接收器和行動電話不可缺少的零件。
PIN二極體(p-intrinsic-n Diode)
PN之間一層高電阻的半導體層,使少數載子的積蓄效果增加,逆回覆時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質,用於天線的頻帶切換以及高頻率開關。
激光二極體 (laser diode)
當LED產生的光是頻寬極窄的相幹光(coherent light)時,則稱為激光二極體。
光電二極體 (photo diode)
光線射入PN結,P區空穴、N區電子大量發生,產生電壓(光電效應)。藉由測量此電壓或電流,可作為光感應器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。
非線性電阻器ja:バリスタ
若超過一定電壓,電阻就會降低。是保護電路受到突波電壓傷害的雙向元件。由二氧化鉛的燒結體顆粒製成,當作非線性電阻使用。
二極真空管
参照真空管。
氣體放電管整流器
針狀電極和平板電極相向接近尖端放電。若把針狀電極當做負極,比較低的電壓就會開始放電。利用這樣的性質來做當作整流器。
點接觸二極體
用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導體的表面接觸。此構造的特徵是寄生電容非常小。採用於鍺質二極體和耿效應二極體。礦石檢波器也是一種點接觸二極體。
發光二極體 (Light Emitting Diode. LED)
耿效應二極體
應用於低功率微波振盪器。
2008-04-27 10:27:08 補充:
http://zh.wikipedia.org/wiki/%E4%BA%8C%E6%A5%B5%E9%AB%94