甚麼二極體？

二極體有好多種

圖片參考：http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fd/Diode-photo.JPG/200px-Diode-photo.JPG

二極體的種類

PN結二極體 (PN Diode)

利用半導体中PN接合的整流性質，是最基本的半導體二極體。細節請參照PN結的條目。

蕭特基二極體 (Schottky Barrier Diode)

利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭基特效應'的整流作用。由於順向的電壓降較低，導通回復時間也短，適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。

穩壓二極體 (Reference Diode)（常用誣稱：齊納二極體(Zener Diode))

被施加反方向電壓的場合，超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用於電壓基準。藉由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其正向特性與一般的二極體相同。

恒流二極體（CRD, Current Regulative Diode)

被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的範圍。雖然被稱為二極體，但是構造、動作原理都與接合型電場效應電晶體相似。

隧道二極體 (tunnel diode)、江崎二極體(Esaki diode)、透納二極體

是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置範圍內順向電壓增加時流通的電流量反而減少的「負電阻」的現象。1957年由日本人江崎玲於奈發明。這是最能耐受核輻射的半導體二極管。

交流二極體（DIAC）、突波保護二極體、雙向觸發二極體

當施加超過規定電壓（break over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用於電路的突波保護上。另，雖被稱為二極體，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器([[[thyristor]]]/SCR)的複雜分類中。

變容二極體（variable capacitance diode、varactor diode）

施加逆向電壓的場合，二極體PN接合的空乏層厚度會變化，利用靜電容量（接合容量）的變化的可變容量蓄電器。沒有機械零件所以可靠度高，廣泛應用於VCO或可變電壓濾波器，也是電視接收器和行動電話不可缺少的零件。

PIN二極體(p-intrinsic-n Diode)

PN之間一層高電阻的半導體層，使少數載子的積蓄效果增加，逆回覆時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質，用於天線的頻帶切換以及高頻率開關。

激光二極體 (laser diode)

當LED產生的光是頻寬極窄的相幹光（coherent light）時，則稱為激光二極體。

光電二極體 (photo diode)

光線射入PN結，P區空穴、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。藉由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。

非線性電阻器ja:バリスタ

若超過一定電壓，電阻就會降低。是保護電路受到突波電壓傷害的雙向元件。由二氧化鉛的燒結體顆粒製成，當作非線性電阻使用。

二極真空管

参照真空管。

氣體放電管整流器

針狀電極和平板電極相向接近尖端放電。若把針狀電極當做負極，比較低的電壓就會開始放電。利用這樣的性質來做當作整流器。

點接觸二極體

用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導體的表面接觸。此構造的特徵是寄生電容非常小。採用於鍺質二極體和耿效應二極體。礦石檢波器也是一種點接觸二極體。

發光二極體 (Light Emitting Diode. LED)
耿效應二極體

應用於低功率微波振盪器。

2008-04-27 10:27:08 補充：
http://zh.wikipedia.org/wiki/%E4%BA%8C%E6%A5%B5%E9%AB%94

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