請問蒸鍍(EG)高手幾項資訊

我對於你的回答如下
(1)請參考普物勞倫玆力(Lorentz force)，很容易查得到，不是冷次定律。冷次定律是說線圈會因外加磁場產生一抗拒此磁場之電流。電子槍是發射電子，不是光子。
(2)是算"蒸氣"，應該說是分子才對，但對金屬來說分子視同原子。蒸氣的方向會受Pump的抽氣速率影響，意即真空壓會影響蒸氣的 mean free path。
(3)這是看你的實驗目的。鍍的好不好的問題在於你的要求是什麼。例如你是要他的結構，還是要平整度，還是要測量電性，還是要光學的性質，每一種的要求有他的作法。蒸鍍的控制因子有材料，基板，基板溫度，真空壓力，sample在platen的位置等等。
(4)靶材的壽命可以由一些方法得知: (1)直接由window目視，是否已見到坩鍋底部(2)正常升溫到standby時，真空壓力異常。
(5)除了Au以外，其他都很容易氧化。這些氧化物可以在遇熱時去除的(但要確認你預熱的溫度是正確的)
(6)正確的清洗基板要有以下步驟(1)IPA或ACE(2)HF或DHF(3)rinse
(7)基本上alpha-step速度愈慢，表面的狀況愈清楚，也不會有撞針的危險。至於下針時不要太粗暴，以免撞針。量測的長度由你決定，基本上測量的高度落差不要超過10um。
(8)那是蒸鍍角度的遮蔽效應造成的，不是油。如果是油的話，你也不用鍍了，因為你的真空根本抽不下去。
(9)預熔OK的定義是，在真空室(chamber)的壓力不再改變，成一穩定狀態時，意即沒有其他雜質再釋出。
(10)我不能肯定是什麼，因為我完全不知道你的蒸鍍流程，蒸鍍順序及方法。

PS.一般良好的蒸鍍狀態在未啟動EG前，壓力應在10-7torr以下。如是MBE的話，應在10-9torr以下。

2007-09-18 03:05:19 補充：
我根據你提出的再解釋
(1)勞倫茲力:電子在外加磁場中會產生偏向，參考資料如下http://en.wikipedia.org/wiki/Lorentz_force
(2)我反問一個基本問題給你，為什麼要抽真空蒸鍍?
我不是刁難你，而是希望你先了解這個問題後，我會再回答你。
(3)你知道Ag在空氣中很快會硫化嗎?你學長及老師只是要教你鍍保護層，他們應該教有你不要鍍太厚才是。
(4)理論上是的，但是實際上基板可能會和鍍膜在高溫下產生化合，這樣的薄膜是你需要的嗎?特別是SL(supper lattice)，高溫度膜下會變成一塊-_-!!另外時間能不能縮短，我只能說可以縮短抽真空的時間。

2007-09-18 03:18:08 補充：
(5)~(10)請你來電，我直接告訴你，東西的細節太多了，我不想打字......
0919145256

PS你是大學生還是研究生，我想了解一下

到下面的網址看看吧

▶▶http://qaz331.pixnet.net/blog

圖片參考：http://sunlab.phys.nthu.edu.tw/images/cmr-1.jpg

超導混頻元件的製作與成果：
超導混頻元件的製作，主要是通過光學微影、各種金屬膜層、與絕緣膜層的鍍製工作，搭配蝕刻製程等等一般超導約瑟芬結(Josephson Junction) 的製程來結合完成。下圖所示是我們實驗室所採用的約瑟芬結標準製作流程。










圖片參考：http://sunlab.phys.nthu.edu.tw/images/msd-1.jpg

高品質的”超導-絕緣-超導之約瑟芬結”(superconductor-insulator-superconductor junction, SIS Josephson junction)製作，要求元件要有低漏電流(low leakage current)、高超導能隙值(large superconducting gap value)，與穩定的Ic 製程控制(precise Ic control)。因約瑟芬結超導元件之超導能隙值，取決於Nb超導薄膜內如氧化物等不純雜質的相對含量。在改善Nb超導薄膜的濺鍍製程與環境之後，從2002年起，超導元件實驗室已將約瑟芬結的超導能隙值由2.6mV改善提升至2.85mV。所鍍之Nb超導薄膜的超導轉變溫度可達9.26K，而超導薄膜的殘餘電阻比值(residual resistamce ratio, RRR)達4.42(請見下圖)。

１
請你參考一下普物：冷次定律
電子經過磁場會產生加速．．．所以會轉彎
還有，電子槍發射出來的是電子束喔～並不是光～
你說的應該是電子束打在螢光屏上所產生的光，如ＣＲＴ電視機

２
是的～蒸鍍就是用鎢舟加熱，使得金屬達到沸點蒸發
有的機台則是用電子束對靶材加熱 ～
金屬蒸氣附著在基板上之後形成金屬薄膜～
那是金屬分子的蒸氣．．．因為金屬蒸氣比氣體還重很多，不至於受到真空 pump 影響到蒸鍍的角度~
你要考慮的應該是基板的擺放位置，還有基板的旋轉速度．．．等等

３
這要看你的薄膜用途囉～
一般 Ti 是用來增加金屬與基板的附著性~不是每種金屬都可以鍍在基板上的~ 也要看基板的材料特性才是
Ag, Cu導電性較好...當然拿來當導電層的
Au 抗氧化，通常拿來當最表層～
Ni, Cr....通常拿來當電阻啦...薄膜電阻一般都用 Ni, Cr
鍍背面？一般是因為後製程有電鍍吧．．．所以需要靠背面或是側面導通當電極．．．一般都要看片電阻確認電阻率吧～怎樣算鍍好？ㄟ～建議參考一下材料科學的書～三言兩語回答不上來～

４
成分比例不對了，氧化了，或是快用完了，只要是有影響產品良率之虞的．．．就該換了～
一般，這是有經驗可循的．．．比如說靶材使用時數，蒸率等等
可以參考過去的統計資料來訂定呀～

５
當然可以呀．．．不然預鍍(shutter 打開之前)是幹麻用的?
因為一般氧化都在表面...所以預鍍就是要將雜質去除~

６
最好是不要這樣啦．．．一般可拿去用電子級的 IPA 加超音波震盪清洗....再用純水將 IPA 洗掉....然後旋乾....烘乾.....
目的是要將玻片的雜質，水氣去除，以免污染真空腔(Chamber)

７
平台的 level 很重要吧....
還有薄膜括除的手法....
機台的參數：當然探針移動速度．．．量測 range 的設定...都有影響，還有針頭的大小～

８
應該是有油～

９
靶材表面雜質可以９９．９％去除．．．就是ＯＫ！

１０
很難回答看到的是什麼？你用什麼金屬當靶材？
黑黑的也有可能是鎢舟（拿來裝靶材的加熱片）呀！

因為是蒸鍍，這是物理性鍍膜，而且不需要產生電漿，氣體不需要參與反應．．．用氮氣就可以了
像ＣＶＤ．．．需要用氣體反應鍍膜．．．那用的氣體就比較複雜．．．而且通常是有毒滴～
ＰＶＤ則是用電漿轟擊靶材．．．將把材的表面分子擊落
所以需要使用　Ａｒ　氣體．．．．

以上淺見．．．希望對你有幫助～